- 2021/10/15 10:51:45
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加强每年创新的节奏,推动从芯片到pȝ全面领先
2021q??7日,qCEO帕特·格在“英特尔加速创斎ͼ制程工艺和封装技术线上发布会”上发表演讲。在q次U上发布会中Q英特尔提出了未来制E工艺和装技术\U图。(囄来源Q英特尔Q?/p>
新闻重点
· q制E工艺和装技术创新\U图Qؓ从现在到2025q乃xq未来的下一波品注入动力?/p>
· 两项H破性制E技术:q近十多q来推出的首个全新晶体管架构RibbonFETQ以及业界首个背面电能传输网lPowerVia?/p>
· 凭?nbsp;Foveros Omni ?Foveros Direct技术,l箋在先q?3D 装创新斚w保持领先C?/p>
· 随着q进入半g埃米时代Q更新的节点命名体系创Z致的框架Q来帮助客户和行业对制程节点演进建立更准的认知?/p>
· q代工服务(IFSQ势头强Ԍqơ公布合作客户名单?/p>
2021 q?7 ?27日,q公总天公布了公司有史以来最详细的制E工艺和装技术\U图Q展CZ一pd底层技术创斎ͼq些创新技术将不断驱动从现在到2025q乃xq未来的C品开发。除了公布其q十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输|络PowerVia之外Q英特尔q重点介l了q速采用下一代极紫外光刻QEUVQ技术的计划Q即高数值孔径(High-NAQEUV。英特尔有望率先获得业界W一台High-NA EUV光刻机?/p>
q公司CEO帕特·格在以“英特尔加速创新”ؓ主题的全球线上发布会中表C:“基于英特尔在先q封装领域毋庸置疑的领先性,我们正在加快制程工艺创新的\U图Q以保?2025 q制E性能再度领先业界。英特尔正利用我们无可比拟的持箋创新的动力,实现从晶体管到系l层面的全面技术进步。在I尽元素周期表之前,我们坚持不懈地q寻摩尔定律的脚步,q持l利用硅的神奇力量不断推q创新。?/p>
业界早就意识刎ͼ?997q开始,ZU米的传l制E节点命名方法,不再与晶体管实际的栅极长度相对应。如今,qؓ其制E节点引入了全新的命名体p,创徏了一个清晰、一致的框架Q帮助客户对整个行业的制E节Ҏq徏立一个更准确的认知。随着q代工服务(IFSQ的推出Q让客户清晰了解情况比以往M时候都昑־更加重要。基辛格_“今天公布的创新技术不仅有助于q规划品\U图Q同时对我们的代工服务客户也臛_重要。业界对q代工服务(IFSQ有强烈的兴,今天我很高兴我们宣布了首ơ合作的两位重要客户。英特尔代工服务已扬帆v航!?/p>
q技术专家详qC以下路线图,其中包含新的节点命名和实现每个制E节点的创新技术:
1. Z FinFET 晶体优化,Intel 7?Intel 10nm SuperFin 相比Q每瓦性能提升约10%-15%?/strong>2021q即推出的Alder Lake客户端品将会采用Intel 7 工艺Q之后是面向数据中心?Sapphire Rapids预计于 2022 q第一季度投?/p> 2. Intel 4完全采用 EUV 光刻技术,可用超短L长的光,d极微的图样?/strong>凭借每瓦性能U?20% 的提升以及芯片面U的改进Q?strong>Intel 4 在 2022 q下半年投Qƈ?2023 q出货,q些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids?/p> 3. Intel 3凭借FinFET 的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用Q较之Intel 4在每瓦性能上实现约18%的提升,在芯片面U上也会有额外改q?nbsp;Intel 3于2023q下半年开始用于相关品生产?/p> 4. Intel 20A凭借RibbonFET和PowerVia两大H破性技术开启埃cx代?/strong>RibbonFET 是英特尔对Gate All Around晶体的实现Q它成为公司自 2011 q率先推?FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体开关速度Q同时实C多鳍l构相同的驱动电,但占用的I间更小。PowerVia 是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网l,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计在 2024 q推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上Q与高通公司进行合作?/p> 5. 2025 q及更远的未来:从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中Q将?025q初推出Q它对RibbonFETq行改进Q在晶体性能上实现又一ơ重大飞跃?/strong>q还致力于定义、构建和部v下一代High-NA EUVQ有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作Q确保这一行业H破性技术取得成功,越当前一?EUV?/p> q高U副总裁兼技术开发ȝ理Ann Kelleher博士表示Q“英特尔有着悠久的制E工艺基性创新的历史Q这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了?0U米应变向45U米高K金属栅极的过渡,q在22U米时率先引入FinFET。凭借RibbonFET ?PowerVia两大开创性技术,Intel 20A 成为制E技术的另一个分水岭。?/p> q高U副总裁兼技术开发ȝ理Ann Kelleher博士 随着q全新IDM 2.0战略的实施,装对于实现摩尔定律的益处变得更加重要。英特尔宣布QAWS 成为首个用英特尔代工服务QIFSQ封装解x案的客户。英特尔寚w先行业的先进装路线图提出: 1. EMIB作ؓ首个 2.5D 嵌入式桥接解x案将l箋引领行业Q英特尔?017q以来一直在EMIB产品?/strong>Sapphire Rapids 成为采用EMIBQ嵌入式多芯片互q桥接)扚w的首个英特尔®臛_®数据中心产品。它也将是业界首个提供几乎与单片设计相同性能的,但整合了两个光罩寸的器件。Sapphire Rapids之后Q下一?EMIB的凸炚w距将?55微米~短?45微米?/p> 2. Foveros利用晶圆U封装能力,提供史上首个 3D 堆叠解决Ҏ?/strong>Meteor Lake是在客户端品中实现Foveros技术的W二代部|Ӏ该产品h 36微米的凸炚w距,不同晶片可基于多个制E节点,热设计功率范围ؓ 5-125W?/p> 3. Foveros Omni开创了下一代Foveros技术,通过高性能3D堆叠技术ؓ裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵zL?/strong>Foveros Omni允许裸片分解Q将Z不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片混合搭配Q预计将?023q用到量产的产品中?/p> 4. Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变Q它可以实现低电Mq,q得从晶圆制成到封装开始,两者之间的界限不再那么截然?/strong>Foveros Direct 实现?0微米以下的凸炚w距,?D堆叠的互q密度提高了一个数量Qؓ功能性裸片分区提Z新的概念Q这在以前是无法实现的。Foveros Direct 是对 Foveros Omni 的补充,预计也将?2023q用到量产的产品中?/p> 今天讨论的突破性技术主要在q俄勒冈州和亚利桑那州的工厂开发,qmZq作为美国唯一一家同时拥有芯片研发和刉能力的领先企业的地位。此外,q些创新q得益于与美国和Ƨ洲合作伙伴生态系l的紧密合作。深入的合作关系是将基础性创C实验室研发投入到量刉的关键Q英特尔致力于与各地政府合作Q强化供应链Qƈ推动l济和国家安全?/p> U上发布会快l束的时候,q宣布将丑֊“Intel Innovation”峰会ƈ公布更多相关l节。“Intel Innovation”峰会将?2021 q?10 ?27 日至 28 日在旧金q下和U上举行?/p>